據(jù)媒體報道，長江蓄水庫計劃今年將其產量提高一倍。該公司計劃在下半年將其每月的存儲芯片產量提高到100,000個晶片。
它還準備試生產192層NAND閃存芯片。該產品將于2021年開始試生產，但試生產計劃可能會推遲至2021年下半年。
市場領先的供應商仍在開發(fā)176層3DNAND芯片，目前可用于批量生產的最先進版本是128-層NAND芯片。在此之前，YMTC在4月13日宣布已成功開發(fā)其128層QLC3DNAND閃存，并且已在多家控制器制造商的終端存儲產品（例如SSD）上進行了驗證。
這標志著國內3DNAND領域已正式進入國際先進水平。自2020年第三季度以來，長江倉儲一直在忙于引進和安裝必要的生產設備并擴大生產線。
目前，YMTC同時生產64層和128層3D閃存芯片，但將逐漸將更多容量轉移給后者。據(jù)報道，YMTC最早將于2021年中期開始試生產192層3DNAND閃存芯片，這將是中國半導體行業(yè)參與者首次試生產此類芯片。
三星和美光等市場領先的供應商仍在開發(fā)176層3DNAND芯片，并且可以批量生產的最先進版本是128層NAND芯片。半導體產業(yè)掀起產能擴張+國內替代浪潮。
從2018年到2020年，長江蓄水技術實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的技術飛躍。在市場份額高度集中的內存芯片市場，國產內存芯片的量產上市對于填補國內存儲空白具有重要意義。
具體來說，長江存儲和合肥長鑫的生產線正在逐步增加產能，仍然有較大的產能空間，這將迫使國內半導體設備制造商在產能擴張過程中釋放其業(yè)績。中信證券于1月7日發(fā)布研究報告，長江存儲，華虹集團，中芯國際，長興存儲等晶圓廠正在積極擴大生產，帶動國內半導體設備市場全球增速翻番，行業(yè)發(fā)展迅速。
生產能力偏緊。生產進度有望加快。
其中，長江蓄水項目一期將在2019年達到20,000件/月的生產能力，并將在2020年擴大至50,000件/月。預計該項目的一期將達到未來的月產能為100,000件/月，第二階段的土建工程已經完成。
建設將于2020年6月開始，兩個階段的總生產能力為300,000件/月。從中信證券編纂的2018年至2020年的三年中，長江儲水約2500臺設備的招標情況來看，日美制造商仍占主導地位，但國內制造商所占比例逐年增加。
在2019年長江倉儲的1088項設備招標中，中國制造商的設備占9.65％；在2020年長江倉儲的1107種設備招標中，中國制造商的設備占14.36％，呈上升趨勢。華北北方，中國微電子和圣美分別中標了97/45/25個單元，位居國內制造商的前列。
因此，中信證券表示，產能擴張+國內替代正在積極推進，并對2021年半導體設備行業(yè)的發(fā)展感到樂觀。展望2021年，IDM工廠，如長江存儲和長鑫存儲，華虹無錫，華立集成，中芯國際和其他晶圓代工廠制定了持續(xù)的產能擴張計劃。
在包括晶圓在內的當前行業(yè)產能短缺的背景下，制造，包裝和測試設備的訂單預計將激增。另一方面，中芯國際事件進一步激發(fā)了國內制造商的危機意識，有望積極推動國產新機的核查，這將使國產設備制造商受益。